CZD1386 Todos los transistores

 

CZD1386 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CZD1386
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CZD1386 datasheet

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CZD1386

CZD1386 -5 A, -30 V PNP Epitaxial Silicon Transistor Elektronische Bauelemente DESCRIPTION The CZD1386 is designed for low frequency applications. FEATURES Low VCE(sat) = -0.55V(Typ.) (IC/IB = -4 A/ -0.1 A) Excellent DC current gain characteristics PACKAGE DIMENSIONS Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.40 6.80 G 0.50 0.70 B 5.20 5.50 H 2.20 2.40

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CZD1386

CZD13003 1.5A , 700V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-252 FEATURES Power Switching Applications PACKAGE INFORMATION Package MPQ Leader Size A C B D TO-252 2.5K 13 inch G E K H F N O P M J Collector 2 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Ma

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History: CSC1674

 

 

 


 
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