CZD2983 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CZD2983
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO252
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CZD2983 Datasheet (PDF)
czd2983.pdf

CZD2983 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Elektronische Bauelemente DESCRIPTION The CZD2983 is designed for power amplifier and driver stage amplifier applications. D-Pack (TO-252)FEATURES High transition frequencyfT = 100MHz (Typ.) Complements to CZD1225 AC BDG EK H FNOPCollectorM JMARKING 2983 Date
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History: 2SD1095 | 40613 | 2SC5584 | SQ2222AF | 2SC6144 | KT930B | BF200
History: 2SD1095 | 40613 | 2SC5584 | SQ2222AF | 2SC6144 | KT930B | BF200



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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