PZT358 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZT358
Código: 358
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 130 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT223
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PZT358 datasheet
pzt358.pdf
PZT358 NPN Transistor Elektronische Bauelemente Silicon Planar High Current Transistor RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-223 Description C The PZT358 is designed for general 3 purpose switching and amplifier applications. E 4 1 Features 5 I * 6Amps Continous Current, Up To J 2 10Amps Peak Current * Excellent Gain Characteris
pzt359.pdf
PZT359 PNP Silicon Planar Elektronische Bauelemente High Current Transistor RoHS Compliant Product Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amp peak current. SOT-223 Excellent gain characteristic specified up to 10Amps. Very low saturation voltage Mechanical Data C Case SOT-223 Plastic Package 1.6
Otros transistores... KSA928ATL, MMBT2222Q, MMBT2907Q, PZT157, PZT158, PZT159, PZT194, PZT195, BC547B, PZT359, PZT4672, PZT559, PZT559A, PZT6718, PZT772, PZT882, PZT965
History: TD162A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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