PZT358. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZT358

Маркировка: 358

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT358

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT358 даташит

 ..1. Size:736K  secos
 pzt358.pdf pdf_icon

PZT358

PZT358 NPN Transistor Elektronische Bauelemente Silicon Planar High Current Transistor RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-223 Description C The PZT358 is designed for general 3 purpose switching and amplifier applications. E 4 1 Features 5 I * 6Amps Continous Current, Up To J 2 10Amps Peak Current * Excellent Gain Characteris

 9.1. Size:328K  secos
 pzt359.pdf pdf_icon

PZT358

PZT359 PNP Silicon Planar Elektronische Bauelemente High Current Transistor RoHS Compliant Product Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amp peak current. SOT-223 Excellent gain characteristic specified up to 10Amps. Very low saturation voltage Mechanical Data C Case SOT-223 Plastic Package 1.6

Другие транзисторы: KSA928ATL, MMBT2222Q, MMBT2907Q, PZT157, PZT158, PZT159, PZT194, PZT195, BC547B, PZT359, PZT4672, PZT559, PZT559A, PZT6718, PZT772, PZT882, PZT965