Биполярный транзистор PZT358 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PZT358
Маркировка: 358
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
PZT358 Datasheet (PDF)
pzt358.pdf
PZT358NPN Transistor Elektronische BauelementeSilicon Planar High Current TransistorRoHS Compliant ProductA suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-223DescriptionC The PZT358 is designed for general3 purpose switching and amplifier applications. E41Features5I * 6Amps Continous Current, Up ToJ2 10Amps Peak Current * Excellent Gain Characteris
pzt359.pdf
PZT359PNP Silicon PlanarElektronische Bauelemente High Current TransistorRoHS Compliant ProductFeatures 5 Amps continuous current, up to 10 Amp peak current. SOT-223 Excellent gain characteristic specified up to 10Amps. Very low saturation voltage Mechanical DataC Case: SOT-223 Plastic Package 1.6
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050