UMH13N Todos los transistores

 

UMH13N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMH13N
   Código: H13
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

UMH13N Datasheet (PDF)

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UMH13N

UMH13N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. MARKING H13 PACKAGE INFORMATION Package MPQ Leader Size SOT-363 3K 7 inch Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.00 2.20 G 0.100 REF.

 9.1. Size:138K  philips
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UMH13N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH13; PUMH13NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13R1 = 4.7 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX

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History: BC55-10PAS | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | BF762BA | 2SC2878

 

 
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