UMH13N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMH13N

Código: H13

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-363

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UMH13N datasheet

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UMH13N

UMH13N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. MARKING H13 PACKAGE INFORMATION Package MPQ Leader Size SOT-363 3K 7 inch Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.00 2.20 G 0.100 REF.

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UMH13N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH13; PUMH13 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13 R1 = 4.7 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX

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