UMH13N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMH13N

Маркировка: H13

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для UMH13N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH13N даташит

 ..1. Size:131K  secos
 umh13n.pdf pdf_icon

UMH13N

UMH13N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. MARKING H13 PACKAGE INFORMATION Package MPQ Leader Size SOT-363 3K 7 inch Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.00 2.20 G 0.100 REF.

 9.1. Size:138K  philips
 pemh13 pumh13.pdf pdf_icon

UMH13N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH13; PUMH13 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13 R1 = 4.7 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX

Другие транзисторы: SMUN5314DW, SMUN5315DW, SMUN5316DW, SMUN5330DW, SMUN5331DW, SMUN5332DW, SMUN5333DW, SMUN5334DW, B647, UMH15N, 2SB1412, 3DD13002B, A1015LT1, A733LT1, BC5347B, BC546C, BC846BDW