Справочник транзисторов. UMH13N

 

Биполярный транзистор UMH13N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: UMH13N
   Маркировка: H13
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для UMH13N

 

 

UMH13N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  secos
umh13n.pdf

UMH13N

UMH13N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. MARKING H13 PACKAGE INFORMATION Package MPQ Leader Size SOT-363 3K 7 inch Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.00 2.20 G 0.100 REF.

 9.1. Size:138K  philips
pemh13 pumh13.pdf

UMH13N
UMH13N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH13; PUMH13NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13R1 = 4.7 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top