UMH15N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMH15N
Código: H15
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT-363
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UMH15N datasheet
umh15n.pdf
UMH15N NPN Multi-Chip Elektronische Bauelemente Built-in Resistors Transistor RoHS Compliant Product SOT-363 o .055(1.40) 8 Features .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) Two DTC144T chips in a package * .021REF (0.525)REF * Transistor elements are independent, eliminating interference. .053(1.35) .096(2.45) .045(1.15) .085(2.15) * Mounting cost and area can be cut in ha
umh15n.pdf
UMH15N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ NPN) SOT-363 FEATURES z Two DTC144T chips in a package z Transistor elements are independent, eliminating interference 1 z Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING H15 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage V(BR)CBO 50 V Collector-emitter voltage V(BR)CEO 50 V Emit
pemh15 pumh15.pdf
PEMH15; PUMH15 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 4.7 k Rev. 5 16 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP Package complement complement configuration NXP
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