WTD882 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTD882
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar WTD882
WTD882 Datasheet (PDF)
wtd772 wtd882.pdf
WTD772WTD882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-252/D-PAKP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR33. EMITTER21ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol PNP/WTD772 UnitNPN/WTD882Collector-E m itter Voltage V 3 0 VdcCE O -3 0Collector-B as e Voltage VCB O -4 04 0 VdcE m itter-B as e Voltage VE B O-5 . 0 5 . 0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3 . 0 3
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050