WTD882 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTD882
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 90 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO252
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WTD882 datasheet
wtd772 wtd882.pdf
WTD772 WTD882 PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors TO-252/D-PAK P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3 3. EMITTER 2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTD772 Unit NPN/WTD882 Collector-E m itter Voltage V 3 0 Vdc CE O -3 0 Collector-B as e Voltage VCB O -4 0 4 0 Vdc E m itter-B as e Voltage VE B O -5 . 0 5 . 0 Vdc Collector Current (DC) IC(DC) -3 . 0 3
Otros transistores... SS8550LT1 , W4401DW , W4413DW , W4501DW , W4601DW , WTA8921 , WTD1386 , WTD772 , BC546 , WTM1624 , WTM1766 , WTM1797 , WTM2222A , WTM2907A , WTM3904 , WTM3906 , WTM5551 .
History: KSP8598 | BC858
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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