Биполярный транзистор WTD882 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: WTD882
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO252
- подбор биполярного транзистора по параметрам
WTD882 Datasheet (PDF)
wtd772 wtd882.pdf

WTD772WTD882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-252/D-PAKP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR33. EMITTER21ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol PNP/WTD772 UnitNPN/WTD882Collector-E m itter Voltage V 3 0 VdcCE O -3 0Collector-B as e Voltage VCB O -4 04 0 VdcE m itter-B as e Voltage VE B O-5 . 0 5 . 0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3 . 0 3
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SC5570 | 2N6275 | HA9531 | MMBT6517LT1G | MMBTH10-4LT1G | 3DD13002A | 2SC687
History: 2SC5570 | 2N6275 | HA9531 | MMBT6517LT1G | MMBTH10-4LT1G | 3DD13002A | 2SC687



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet