WTM669A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTM669A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT-89
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WTM669A datasheet
wtm669a.pdf
WTM669A NPN Epitaxial Planar Transistors SOT-89 P b Lead(Pb)-Free 1 2 1. BASE 3 2. COLLECTOR 3. EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) Rating Symbol Limits Unit VCBO V Collector-Base Voltage 180 VCEO V Collector-Emitter Voltage 160 VEBO V Emitter-Base Voltage 5 IC(DC) 1.5 Collector Current A IC(Pulse) 3 Collector Power Dissipation PD 1 W Junction Temperature Tj
Otros transistores... WTM1766 , WTM1797 , WTM2222A , WTM2907A , WTM3904 , WTM3906 , WTM5551 , WTM649A , SS8050 , WTM772 , WTM882 , WTMA44 , WTP772BCE , WTP772-ECB , WTP882 , WTS772 , WTS882 .
History: 2N624 | ZXT13N50DE6 | 2DB1386Q | 2SB121 | MJ10025
History: 2N624 | ZXT13N50DE6 | 2DB1386Q | 2SB121 | MJ10025
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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