KTA1381 Todos los transistores

 

KTA1381 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTA1381
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KTA1381 Datasheet (PDF)

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KTA1381

SEMICONDUCTOR KTA1381TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH-DEFINITION CRT DISPLAY,ABVIDEO OUTPUT APPLICATIONS.DCEFEATURES FHigh breakdown voltage : VCEO 300V.Small reverse transfer capacitance and Gexcellent high frequency characteristic. H: Cre=2.3pF (VCB=30V, f=1MHz)DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXComplementary KTC3503. KB 5.8LC 0.7_+

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KTA1381

SEMICONDUCTOR KTA1385D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGELARGE CURRENT AI C JFEATURES DIM MILLIMETERS_A 6.60 + 0.2High Power Dissipation : PC=1.3W(Ta=25 )_B 6.10 + 0.2_C 5.0 + 0.2Complementary to KTC5103D/L_D 1.10 + 0.2_E 2.70 + 0.2_F 2.30 + 0.1H 1.00 MAX_I 2.30 + 0.2_J 0.5 + 0.1_H K 2.00 +

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KTA1381

SEMICONDUCTOR KTA1360TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION.ABDCEFEATURES FHigh Voltage : VCEO=-150V.Low Output Capacitance : Cob=5.0pF(Max.).GHigh Transition Frequency : fT=120MHz(Typ.)HComplementary to KTC3423.DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LC 0.7_+D 3.2 0.1E 3.5_+F 11.0 0.3MAXIMUM RATIN

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