2N5962 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5962
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 600
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5962
2N5962 Datasheet (PDF)
2n5962 mmbt5962.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologies2N5962 MMBT5962CEC TO-92BBE SOT-23Mark: 117NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as low noise, high gain, generalpurpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA.Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value U
2n5961 2n5962 2n5963.pdf
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2n5961.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologies2N5961C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as low noise, high gain, generalpurpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourcedfrom Process 07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Val60ue UnitsVCEO Collector-Emitter Volta
Otros transistores... 2N5955 , 2N5956 , 2N5957 , 2N5958 , 2N5959 , 2N596 , 2N5960 , 2N5961 , 9014 , 2N5963 , 2N5964 , 2N5965 , 2N5966 , 2N5967 , 2N5968 , 2N5969 , 2N597 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050