KTB1151 Todos los transistores

 

KTB1151 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB1151
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KTB1151 datasheet

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KTB1151

SEMICONDUCTOR KTB1151 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE A LARGE CURRENT B D C E FEATURES F High Power Dissipation PC=1.5W(Ta=25 ) Complementary to KTD1691. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 3.5 _ + F 11.0 0.3 VCBO -60 V Collecto

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KTB1151

SEMICONDUCTOR KTB1124 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT FEATURES Adoption of MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. Large current capacity and wide ASO. Complementary to KTD1624. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector

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