KTB1151 Todos los transistores

 

KTB1151 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB1151
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KTB1151 Datasheet (PDF)

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KTB1151

SEMICONDUCTOR KTB1151TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGEALARGE CURRENT BDCEFEATURESFHigh Power Dissipation : PC=1.5W(Ta=25 )Complementary to KTD1691.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 0.7_+D 3.2 0.1CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 3.5_+F 11.0 0.3VCBO -60 VCollecto

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KTB1151

SEMICONDUCTOR KTB1124TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTFEATURESAdoption of MBIT processes.Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.Large current capacity and wide ASO.Complementary to KTD1624.MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector

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History: NSBC113EDXV6T1G

 

 
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