KTB2510 Todos los transistores

 

KTB2510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB2510
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 230 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO3PN

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTB2510

 

KTB2510 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  kec
 ktb2510.pdf pdf_icon

KTB2510

SEMICONDUCTOR KTB2510 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER A Q B DARLINGTON APPLICATION. K FEATURES Complementary to KTD1510 DIM MILLIMETERS Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL

 9.1. Size:646K  kec
 ktb2530.pdf pdf_icon

KTB2510

SEMICONDUCTOR KTB2530 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON APPLICATION. A Q B N O K FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to KTD1530 _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 _ G 3.50 + 0.20 D _

Otros transistores... KTA733B , KTB1124 , KTB1151 , KTB1234T , KTB1241 , KTB1260 , KTB1772 , KTB2234 , C3198 , KTB2530 , KTB598 , KTB631K , KTB688B , KTB764 , KTB772 , KTB817B , KTB985 .

History: DTS2001 | DTS106 | DTS721 | DTS704 | MPS3694 | 2SA682 | IMT4FRA

 

 
Back to Top

 


 
.