KTB2510 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTB2510  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 230 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000

Encapsulados: TO3PN

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KTB2510 datasheet

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KTB2510

SEMICONDUCTOR KTB2510 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER A Q B DARLINGTON APPLICATION. K FEATURES Complementary to KTD1510 DIM MILLIMETERS Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL

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KTB2510

SEMICONDUCTOR KTB2530 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON APPLICATION. A Q B N O K FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to KTD1530 _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 _ G 3.50 + 0.20 D _

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