KTC5001D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC5001D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 220 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: DPAK

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KTC5001D datasheet

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KTC5001D

SEMICONDUCTOR KTC5001D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR FEATURES Low Collector Saturation Voltage. VCE(sat)=0.13V(Typ.) at (IC=4A, IB=0.05A) A I C J Large Collector Current DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 IC=10A(dc) IC=15A(10ms, single pulse) _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 Complementary to KTA1834D/L. _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 H 1

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KTC5001D

SEMICONDUCTOR KTC5027F TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC DC 3 Collector Current A ICP Pulse 10 IB Base Current 1.5 A Collector Power Diss

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KTC5001D

SEMICONDUCTOR KTC5027 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC DC 3 Collector Current A ICP Pulse 10 IB Base Current 1.5 A Collector Power Dissi

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