KTC5027 Todos los transistores

 

KTC5027 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTC5027
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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KTC5027 datasheet

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KTC5027

SEMICONDUCTOR KTC5027 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC DC 3 Collector Current A ICP Pulse 10 IB Base Current 1.5 A Collector Power Dissi

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KTC5027

SEMICONDUCTOR KTC5027F TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC DC 3 Collector Current A ICP Pulse 10 IB Base Current 1.5 A Collector Power Diss

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KTC5027

SEMICONDUCTOR KTC5001D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR FEATURES Low Collector Saturation Voltage. VCE(sat)=0.13V(Typ.) at (IC=4A, IB=0.05A) A I C J Large Collector Current DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 IC=10A(dc) IC=15A(10ms, single pulse) _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 Complementary to KTA1834D/L. _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 H 1

Otros transistores... KTC4511 , KTC4520F , KTC4521F , KTC4527F , KTC4666 , KTC4793 , KTC5001D , KTC5001L , A1013 , KTC5027F , KTC5103D , KTC5103L , KTC5197 , KTC5242 , KTC5242A , KTC5706 , KTC5706D .

 

 

 


 
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