KTC5027F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTC5027F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220IS
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTC5027F
KTC5027F Datasheet (PDF)
ktc5027f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC5027FTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOAMAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 1100 VVCEOCollector-Emitter Voltage 800 VVEBOEmitter-Base Voltage 7 VICDC 3Collector Current AICPPulse 10IBBase Current 1.5 ACollector Power Diss
ktc5027.pdf
SEMICONDUCTOR KTC5027TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOAMAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 1100 VVCEOCollector-Emitter Voltage 800 VVEBOEmitter-Base Voltage 7 VICDC 3Collector Current AICPPulse 10IBBase Current 1.5 ACollector Power Dissi
ktc5001d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTC5001D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORFEATURESLow Collector Saturation Voltage. : VCE(sat)=0.13V(Typ.) at (IC=4A, IB=0.05A) AI C JLarge Collector CurrentDIM MILLIMETERS_A 6.60 + 0.2: IC=10A(dc) IC=15A(10ms, single pulse)_B 6.10 + 0.2_C 5.0 + 0.2Complementary to KTA1834D/L._D 1.10 + 0.2_E 2.70 + 0.2_F 2.30 + 0.1H 1
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
