KTC5707D Todos los transistores

 

KTC5707D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTC5707D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 330 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 28 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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KTC5707D Datasheet (PDF)

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KTC5707D

SEMICONDUCTOR KTC5707D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORDC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.AI FEATURESC JAdoption of FBET, MBIT Processes.DIM MILLIMETERS_High Current Capacitance. A 6.60 + 0.2_B 6.10 + 0.2Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage._C 5.0 + 0.2_D 1.10 + 0.2High-Speed Switching._

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KTC5707D

SEMICONDUCTOR KTC5706TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORDC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,ABMOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.DCEFEATURESFAdoption of FBET, MBIT Processes.High Current Capacitance.GLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.HHigh-Speed Switching.DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXUltra small Package Facilitates Miniaturizatio

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KTC5707D

SEMICONDUCTOR KTC5706D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORDC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.AI FEATURESC JAdoption of FBET, MBIT Processes.DIM MILLIMETERS_High Current Capacitance. A 6.60 + 0.2_B 6.10 + 0.2Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage._C 5.0 + 0.2_D 1.10 + 0.2High-Speed Switc

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