KTD1510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTD1510
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 230 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
Paquete / Cubierta: TO3P(N)
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTD1510
KTD1510 Datasheet (PDF)
ktd1510.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KTD1510TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERA Q BDARLINGTON TRANSISTOR.KFEATURES Complementary to KTB2510.DIM MILLIMETERSRecommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25)G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL
ktd1530.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KTD1530TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERDARLINGTON TRANSISTOR.AQ BNO KFEATURES DIM MILLIMETERSComplementary to KTB2530. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20_G 3.50 + 0.20D _
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .