KTD1510 Todos los transistores

 

KTD1510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTD1510
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 230 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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KTD1510 Datasheet (PDF)

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KTD1510

SEMICONDUCTOR KTD1510TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERA Q BDARLINGTON TRANSISTOR.KFEATURES Complementary to KTB2510.DIM MILLIMETERSRecommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25)G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL

 9.1. Size:644K  kec
 ktd1530.pdf pdf_icon

KTD1510

SEMICONDUCTOR KTD1530TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERDARLINGTON TRANSISTOR.AQ BNO KFEATURES DIM MILLIMETERSComplementary to KTB2530. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20_G 3.50 + 0.20D _

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