KTD1624 Todos los transistores

 

KTD1624 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTD1624
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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KTD1624 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kec
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KTD1624

SEMICONDUCTOR KTD1624TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACFEATURESHAdoption of MBIT processes.GLow collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.DIM MILLIMETERSLarge current capacity and wide ASO.A 4.70 MAXD _+D B 2.50 0.20Complementary to KTB1124.K C 1.7

 ..2. Size:1380K  blue-rocket-elect
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KTD1624

KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT -, KTB1124Adoption of MBIT processes, low collector-t

 9.1. Size:396K  kec
 ktd1691.pdf pdf_icon

KTD1624

SEMICONDUCTOR KTD1691TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGEALARGE CURRENT BDCEFEATURES FHigh Power Dissipation : PC=1.5W(Ta=25 )Complementary to KTB1151.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 0.7_+D 3.2 0.1CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 3.5_+F 11.0 0.3VCBOCollector-Bas

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