KTD1624. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1624

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для KTD1624

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1624 даташит

 ..1. Size:50K  kec
 ktd1624.pdf pdf_icon

KTD1624

SEMICONDUCTOR KTD1624 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT A C FEATURES H Adoption of MBIT processes. G Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. DIM MILLIMETERS Large current capacity and wide ASO. A 4.70 MAX D _ + D B 2.50 0.20 Complementary to KTB1124. K C 1.7

 ..2. Size:1380K  blue-rocket-elect
 ktd1624.pdf pdf_icon

KTD1624

KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT - , KTB1124 Adoption of MBIT processes, low collector-t

 9.1. Size:396K  kec
 ktd1691.pdf pdf_icon

KTD1624

SEMICONDUCTOR KTD1691 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE A LARGE CURRENT B D C E FEATURES F High Power Dissipation PC=1.5W(Ta=25 ) Complementary to KTB1151. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 3.5 _ + F 11.0 0.3 VCBO Collector-Bas

Другие транзисторы: KTC945B, KTD1003, KTD1047B, KTD1347, KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, 2N5551, KTD1691, KTD1824, KTD1824E, KTD1854T, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854