KTH2369 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTH2369

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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KTH2369 datasheet

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KTH2369

SEMICONDUCTOR KTH2369/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES High Frequency Characteristics fT=500MHz(Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). Excellent Switching Characteristics. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K G B 4.80 MAX C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) F 1.27 G 0.85 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN

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