KTX312T Todos los transistores

 

KTX312T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX312T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 210 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TSV
 

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KTX312T Datasheet (PDF)

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KTX312T

KTX312TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

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KTX312T

KTX311TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

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History: MPQ3906R | ADP670 | KRC827U | BSY78 | 2SC727

 

 
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