Справочник транзисторов. KTX312T

 

Биполярный транзистор KTX312T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTX312T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TSV
 

 Аналог (замена) для KTX312T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX312T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  kec
 ktx312t.pdf pdf_icon

KTX312T

KTX312TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

 9.1. Size:46K  kec
 ktx311t.pdf pdf_icon

KTX312T

KTX311TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CHDTC123EEGP | MMBT5401GH | CHEMA7GP | TIP141T | TIP521 | MMBTA55 | KU606

 

 
Back to Top

 


 
.