KTX401E Todos los transistores

 

KTX401E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX401E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TESV
 

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KTX401E Datasheet (PDF)

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KTX401E

KTX401ESEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two(TR, Diode) devices in TESV.(Thin Extreme Super mini type with 5pin.)1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Simplify circuit design. _+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05Reduce

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KTX401E

KTX401USEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.BFEATURES B1Including two(TR, Diode) devices in USV.1 5DIM MILLIMETERS_+(Ultra Super Mini type with 5 leads) 2.00 0.20A_2+1.3 0.1A1Simplify circuit design. _+B 2.1 0.13 4 D_

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KTX401E

KTX402USEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASCHOTTKY BARRIER TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.BFEATURES B1Including two(TR, Diode) devices in USV.1 5DIM MILLIMETERS_(Ultra Super Mini type with 5 leads) A 2.00 0.20+2 _+A1 1.3 0.1Simplify circuit design. _+B 2.1 0.13 4 D_+B1 1.25 0.1

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KTX401E

KTX403USEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASCHOTTKY BARRIER TYPE DIODESWITCHING APPLICATION.LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.BFEATURES B1Including two(TR, Diode) devices in USV.1 5DIM MILLIMETERS_(Ultra Super Mini type with 5 leads) A 2.00 0.20+2 _+A1 1.3 0.1Simplify circuit design. _+B 2.1 0.13 4 D_+B1 1.25 0.1Reduce a q

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