KTX411T Todos los transistores

 

KTX411T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX411T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TSV
 

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KTX411T Datasheet (PDF)

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KTX411T

KTX411TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

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KTX411T

KTX412TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

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