KTX511T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTX511T

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 210 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TS6

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KTX511T datasheet

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KTX511T

KTX511T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE DC/DC CONVERTER APPLICATIONS. E FEATURES K B K Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode DIM MILLIMETERS _ contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 The KTX511T consists of two chips which are equivalent to the

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KTX511T

KTX512T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE DC/DC CONVERTER APPLICATIONS. E FEATURES K B K Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode DIM MILLIMETERS _ contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 The KTX512T is formed with two chips, one being equivalent to

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