KTX512T Todos los transistores

 

KTX512T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX512T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 160 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TS6
 

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KTX512T Datasheet (PDF)

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KTX512T

KTX512TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASCHOTTKY BARRIER TYPE DIODEDC/DC CONVERTER APPLICATIONS.EFEATURESK B KComposite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diodeDIM MILLIMETERS_contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1The KTX512T is formed with two chips, one being equivalent to

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KTX512T

KTX511TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASCHOTTKY BARRIER TYPE DIODEDC/DC CONVERTER APPLICATIONS.EFEATURESK B KComposite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diodeDIM MILLIMETERS_contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1The KTX511T consists of two chips which are equivalent to the

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History: CHEMA8GP | BUT35 | CD2812 | KTN2222S | CHIMH10GP | TI897 | CHDTB123YKGP

 

 
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