Биполярный транзистор KTX512T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTX512T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TS6
KTX512T Datasheet (PDF)
ktx512t.pdf
KTX512TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASCHOTTKY BARRIER TYPE DIODEDC/DC CONVERTER APPLICATIONS.EFEATURESK B KComposite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diodeDIM MILLIMETERS_contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1The KTX512T is formed with two chips, one being equivalent to
ktx511t.pdf
KTX511TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASCHOTTKY BARRIER TYPE DIODEDC/DC CONVERTER APPLICATIONS.EFEATURESK B KComposite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diodeDIM MILLIMETERS_contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1The KTX511T consists of two chips which are equivalent to the
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
