KTX512T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX512T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX512T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX512T даташит

 ..1. Size:624K  kec
 ktx512t.pdf pdf_icon

KTX512T

KTX512T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE DC/DC CONVERTER APPLICATIONS. E FEATURES K B K Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode DIM MILLIMETERS _ contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 The KTX512T is formed with two chips, one being equivalent to

 9.1. Size:666K  kec
 ktx511t.pdf pdf_icon

KTX512T

KTX511T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE DC/DC CONVERTER APPLICATIONS. E FEATURES K B K Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode DIM MILLIMETERS _ contained in one package facilitating high-density mounting. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 The KTX511T consists of two chips which are equivalent to the

Другие транзисторы: KTX401E, KTX401U, KTX402U, KTX403U, KTX411T, KTX412T, KTX421U, KTX511T, 2SC2625, KTX711T, KTX811T, KTX955T, MJD112L, MJD117L, MJE13003HV, MJE13004D, MJE13005D