KTX955T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTX955T

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 135

Encapsulados: TSV

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KTX955T datasheet

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KTX955T

KTX955T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR N CHANNEL JUNCTION FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR AM BAND AMPLIFLER APPLICATION E FEATURES B Composite type with J-FET and NPN transistors contained in a package. DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 improving the mounting effciency B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 Drain and emitter are shared. 2 _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0

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