KTX955T Todos los transistores

 

KTX955T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX955T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 135
   Paquete / Cubierta: TSV
 

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KTX955T Datasheet (PDF)

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KTX955T

KTX955TSEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORN CHANNEL JUNCTION FIELD TECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORAM BAND AMPLIFLER APPLICATIONEFEATURESBComposite type with J-FET and NPN transistors contained in a package. DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215improving the mounting effciencyB 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05Drain and emitter are shared.2_D 0.4 + 0.1E 2.8+0

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History: AF279S | KT842A

 

 
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