KTX955T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX955T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX955T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX955T даташит

 ..1. Size:487K  kec
 ktx955t.pdf pdf_icon

KTX955T

KTX955T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR N CHANNEL JUNCTION FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR AM BAND AMPLIFLER APPLICATION E FEATURES B Composite type with J-FET and NPN transistors contained in a package. DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 improving the mounting effciency B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 Drain and emitter are shared. 2 _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0

Другие транзисторы: KTX403U, KTX411T, KTX412T, KTX421U, KTX511T, KTX512T, KTX711T, KTX811T, 9014, MJD112L, MJD117L, MJE13003HV, MJE13004D, MJE13005D, MJE13005DF, MJE13005F, MJE13007F