KRA570E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRA570E  📄📄 

Código: P7

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 24

Encapsulados: TESV

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KRA570E datasheet

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KRA570E

SEMICONDUCTOR KRA566E KRA572E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3 4 _

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KRA570E

SEMICONDUCTOR KRA566U-KRA572U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D

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