KRC409V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRC409V  📄📄 

Código: NJ

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: VSM

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KRC409V datasheet

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KRC409V

SEMICONDUCTOR KRC407V KRC409V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 +

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KRC409V

SEMICONDUCTOR KRC407E KRC409E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ H

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KRC409V

SEMICONDUCTOR KRC407 KRC409 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 2.00 0.20 D 2 _ Simplify Circuit Design B 1.25 0.15 + _ + C 0.90 0.10 3 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ +

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