KRC414V Todos los transistores

 

KRC414V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KRC414V
   Código: NP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: VSM

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KRC414V

 

KRC414V Datasheet (PDF)

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KRC414V
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SEMICONDUCTOR KRC410V~KRC414VEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURESBWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05High Packing Density. 13_C 0.5 + 0.05_D 0.3

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SEMICONDUCTOR KRC410E~KRC414EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURESBDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_

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KRC414V
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SEMICONDUCTOR KRC410, 411, 414EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 2.00 0.20D2_Simplify Circuit Design. B 1.25 0.15+_+C 0.90 0.103Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 1D 0.3+0.10/-0.05

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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