KRC834F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRC834F  📄📄 

Código: NP

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TFS6

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KRC834F datasheet

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KRC834F

SEMICONDUCTOR KRC830F KRC834F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

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KRC834F

SEMICONDUCTOR KRC830E KRC834E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

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KRC834F

SEMICONDUCTOR KRC830U KRC834U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

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