KRC883T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRC883T  📄📄 

Código: MSB

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 5.6 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 350

Encapsulados: TS6

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KRC883T datasheet

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KRC883T

SEMICONDUCTOR KRC881T KRC886T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) E 2.8

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