KTC8550A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC8550A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 19 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-92F

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KTC8550A datasheet

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KTC8550A

SEMICONDUCTOR KTC8550A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. B C FEATURE Complementary to KTC8050A. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G C 3.70 MAX D D 0.45 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 1.00 F 1.27 VCBO Collector-Base Voltage -35 V G 0.85 H 0.45 VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V _ H J 14

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KTC8550A

SEMICONDUCTOR KTC8550 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. B C FEATURE Complementary to KTC8050. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G C 3.70 MAX D D 0.45 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 1.00 F 1.27 VCBO -35 V Collector-Base Voltage G 0.85 H 0.45 VCEO -30 V Collector-Emitter Voltage _ H J 14.0

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KTC8550A

SEMICONDUCTOR KTC8550S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. FEATURE E L B L Complementary to KTC8050S. DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT K 0.00 0.10 Q L 0.55 VCBO -35 V C

Otros transistores... KTC4380, KTC8050A, KTC9014A, KTA1266A, KTA1271A, KTA2013F, KTA2014F, KTC3544S, 2SD313, KTC9015A, KRC110, KRC110M, KRC111, KRC111M, KRC112, KRC112M, KRC113