H2N3906 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H2N3906  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-92

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H2N3906 datasheet

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H2N3906

Spec. No. HE6240 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2005.01.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature......................................................

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H2N3906

Spec. No. HE6218 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2005.01.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N3904 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature......................................................

Otros transistores... MMBT3946DW1T1, MMBT4403WT1, MMBT5551DW1T1, MMBT5551WT1, MMBTA94LT1, MMBTH10LT1, H2584, H2N3904, C945, H2N4401, H2N4403, H2N5087, H2N5401, H2N5551, H2N6388, H2N6718L, H2N6718T