H2N5551 Todos los transistores

 

H2N5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2N5551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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H2N5551 Datasheet (PDF)

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H2N5551

Spec. No. : HE6219HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.21Revised Date : 2004.12.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N5551 is designed for amplifier transistor.FeaturesTO-92 Complements to PNP Type H2N5401 High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO>160V (@IC=1mA))Absolute Maximum Ratings Maximum Temp

Otros transistores... MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , H2N4403 , H2N5087 , H2N5401 , 13007 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , HA8050 , HA8050S , HA8550 .

History: SK3841 | 2SA1598 | BC636-16 | GT400-5B | MPSA18RLRMG | 2N5071

 

 
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