Справочник транзисторов. H2N5551

 

Биполярный транзистор H2N5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H2N5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для H2N5551

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  hsmc
 h2n5551.pdf pdf_icon

H2N5551

Spec. No. : HE6219HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.21Revised Date : 2004.12.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N5551 is designed for amplifier transistor.FeaturesTO-92 Complements to PNP Type H2N5401 High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO>160V (@IC=1mA))Absolute Maximum Ratings Maximum Temp

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top

 


 
.