H2N5551 - описание и поиск аналогов

 

H2N5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для H2N5551

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N5551 даташит

 ..1. Size:52K  hsmc
 h2n5551.pdf pdf_icon

H2N5551

Spec. No. HE6219 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.21 Revised Date 2004.12.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N5551 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N5551 is designed for amplifier transistor. Features TO-92 Complements to PNP Type H2N5401 High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO>160V (@IC=1mA)) Absolute Maximum Ratings Maximum Temp

Другие транзисторы... MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , H2N4403 , H2N5087 , H2N5401 , C5198 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , HA8050 , HA8050S , HA8550 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.