HA8550 Todos los transistores

 

HA8550 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HA8550
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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HA8550 Datasheet (PDF)

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HA8550

Spec. No. : HE6108HI-SINCERITYIssued Date : 1997.09.05Revised Date : 2004.11.23MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HA8550PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HA8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class Bpush-pull operation.FeaturesTO-92 High total power dissipation (PT: 2W, TC=25C) High collector current (IC: 1.5A)

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HA8550

Spec. No. : HE6109HI-SINCERITYIssued Date : 1997.09.05Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HA8550SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HA8550S is designed for general purpose amplifier applications.TO-92Features High DC Current Gain (hFE=100~500 at IC=150mA) Complementary to HA8050SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatu

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History: 2SD882-Y | CMPT5087E | EFT333 | 2N6510 | H421 | GT322E | KRA114M

 

 
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