HE9014 Todos los transistores

 

HE9014 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HE9014

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 270 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-92

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HE9014 datasheet

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HE9014

Spec. No. HE6102 HI-SINCERITY Issued Date 1992.08.25 Revised Date 2005.02.04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HE9014 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HE9014 is designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. TO-92 Features High Total Power Dissipation (PD 450mW) Complementary to HE9015 High hFE and Good Linearity Absolute Maxim

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HE9014

Spec. No. HE6101 HI-SINCERITY Issued Date 1992.08.25 Revised Date 2005.02.04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HE9015 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HE9015 is designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. TO-92 Features High Total Power Dissipation (PD 450mW) Complementary to HE9014 High hFE and Good Linearity Absolute Maxim

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