HI669A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HI669A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-251

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HI669A datasheet

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HI669A

Spec. No. HE9004 HI-SINCERITY Issued Date 1998.01.25 Revised Date 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI669A is designed for low frequency power amplifier. TO-251 Absolute Maximum Ratings (T =25 C) A Maximum Temperatures Storage Temperature...................................................

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