HI669A Todos los transistores

 

HI669A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HI669A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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HI669A Datasheet (PDF)

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HI669A

Spec. No. : HE9004 HI-SINCERITY Issued Date : 1998.01.25 Revised Date : 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HI669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI669A is designed for low frequency power amplifier. TO-251 Absolute Maximum Ratings (T =25C) A Maximum Temperatures Storage Temperature...................................................

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History: SRA2202EF | CH848BPTP

 

 
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