HI669A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HI669A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI669A

HI669A Datasheet (PDF)

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hi669a.pdf

Spec. No. : HE9004 HI-SINCERITY Issued Date : 1998.01.25 Revised Date : 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HI669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI669A is designed for low frequency power amplifier. TO-251 Absolute Maximum Ratings (T =25C) A Maximum Temperatures Storage Temperature...................................................

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050