HMBT1015 Todos los transistores

 

HMBT1015 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMBT1015

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-23

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HMBT1015 datasheet

 ..1. Size:39K  hsmc
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HMBT1015

Spec. No. HE6804 HI-SINCERITY Issued Date 1992.08.25 Revised Date 2004.08.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT1015 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.................................

 9.1. Size:40K  hsmc
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HMBT1015

Spec. No. HE6805 HI-SINCERITY Issued Date 1992.08.25 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT1815 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.................................

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