Справочник транзисторов. HMBT1015

 

Биполярный транзистор HMBT1015 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HMBT1015
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HMBT1015 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  hsmc
 hmbt1015.pdf pdf_icon

HMBT1015

Spec. No. : HE6804HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1015PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................

 9.1. Size:40K  hsmc
 hmbt1815.pdf pdf_icon

HMBT1015

Spec. No. : HE6805HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1815NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PBSS305PX | MPSW51A | 2SD1565 | KT325A | BSV44 | BC847CMTF | MJE350G

 

 
Back to Top

 


 
.