Биполярный транзистор HMBT1015 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBT1015
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
HMBT1015 Datasheet (PDF)
hmbt1015.pdf
Spec. No. : HE6804HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1015PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................
hmbt1815.pdf
Spec. No. : HE6805HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1815NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050