HMBT5401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMBT5401
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HMBT5401
HMBT5401 Datasheet (PDF)
hmbt5401.pdf
Spec. No. : HE6819HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.30Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT5401PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT5401 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-23Features High Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO=150V@IC=1mA) Complements to NPN Type HMBT555
hmbt5551.pdf
Spec. No. : HE6838HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.29Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT5551 is designed for general purpose applications requiring highBreakdown Voltages.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature........................................
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
