Справочник транзисторов. HMBT5401

 

Биполярный транзистор HMBT5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HMBT5401
   Маркировка: 2L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для HMBT5401

 

 

HMBT5401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  hsmc
hmbt5401.pdf

HMBT5401
HMBT5401

Spec. No. : HE6819HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.30Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT5401PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT5401 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-23Features High Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO=150V@IC=1mA) Complements to NPN Type HMBT555

 ..2. Size:255K  cn haohai electr
hmbt5401.pdf

HMBT5401
HMBT5401

HMBT5401PNP-TRANSISTOR-500mA,-150V PNP PNP High Voltage Transistor SMDHMBT5401HMBT5401LT1Complementary to HMBT5551PNP, BECTransistor Polarity: PNPGeneral Purpose TransistorsTransistor pinout: BECSOT-23 PackageMMBT5401Marking Code:

 9.1. Size:40K  hsmc
hmbt5551.pdf

HMBT5401
HMBT5401

Spec. No. : HE6838HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.29Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT5551 is designed for general purpose applications requiring highBreakdown Voltages.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature........................................

 9.2. Size:215K  cn haohai electr
hmbt5551.pdf

HMBT5401
HMBT5401

HMBT5551NPN-TRANSISTORNPN,600mA,180V NPN NPN High Voltage Transistor SMDHMBT5551HMBT5551LT1Excellent hFE linearityNPN, BECLow noiseHigh Voltage TransistorsComplementary to HMBT5401Transistor Polarity: NPNTransistor pinout: BECMMBT5551

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top