HMBT6427 Todos los transistores

 

HMBT6427 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMBT6427
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20000
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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HMBT6427 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  hsmc
 hmbt6427.pdf pdf_icon

HMBT6427

Spec. No. : HE6846HI-SINCERITYIssued Date : 1995.07.21Revised Date : 2004.08.31MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT6427NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDarlington TransistorSOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature................................................................................................................

 9.1. Size:39K  hsmc
 hmbt6517.pdf pdf_icon

HMBT6427

Spec. No. : HE6836HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.20Revised Date : 2004.09.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT6517NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT6517 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.FeaturesSOT-23 High Collector-Emitter Breakdown Voltage Low Collector-Emitter Saturation Voltage The H

 9.2. Size:38K  hsmc
 hmbt6520.pdf pdf_icon

HMBT6427

Spec. No. : HE6806HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.10Revised Date : 2004.09.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT6520PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT6520 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.FeaturesSOT-23 High Collector-Emitter Breakdown Voltage Low Collector-Emitter Saturation Voltage The H

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