Биполярный транзистор HMBT6427 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBT6427
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20000
Корпус транзистора: SOT-23
HMBT6427 Datasheet (PDF)
hmbt6427.pdf
Spec. No. : HE6846HI-SINCERITYIssued Date : 1995.07.21Revised Date : 2004.08.31MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT6427NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDarlington TransistorSOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature................................................................................................................
hmbt6517.pdf
Spec. No. : HE6836HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.20Revised Date : 2004.09.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT6517NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT6517 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.FeaturesSOT-23 High Collector-Emitter Breakdown Voltage Low Collector-Emitter Saturation Voltage The H
hmbt6520.pdf
Spec. No. : HE6806HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.10Revised Date : 2004.09.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT6520PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT6520 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.FeaturesSOT-23 High Collector-Emitter Breakdown Voltage Low Collector-Emitter Saturation Voltage The H
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
