HMBT6517 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMBT6517  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT-23

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HMBT6517 datasheet

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HMBT6517

Spec. No. HE6836 HI-SINCERITY Issued Date 1994.07.20 Revised Date 2004.09.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT6517 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT6517 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features SOT-23 High Collector-Emitter Breakdown Voltage Low Collector-Emitter Saturation Voltage The H

 8.1. Size:38K  hsmc
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HMBT6517

Spec. No. HE6806 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.10 Revised Date 2004.09.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT6520 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT6520 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features SOT-23 High Collector-Emitter Breakdown Voltage Low Collector-Emitter Saturation Voltage The H

 9.1. Size:36K  hsmc
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HMBT6517

Spec. No. HE6846 HI-SINCERITY Issued Date 1995.07.21 Revised Date 2004.08.31 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT6427 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Darlington Transistor SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature................................................................................................................

Otros transistores... HMBT2907A, HMBT3904, HMBT3906, HMBT4401, HMBT4403, HMBT5401, HMBT5551, HMBT6427, BC547, HMBT6520, HMBT8050, HMBT8550, HMBTA06, HMBTA13, HMBTA14, HMBTA42, HMBTA44